国际商业机器公司新专利:具有互补相邻单元的堆叠随机存取存储器

国际商业机器公司于2023年8月申请的一项名为“具有互补的相邻单元的堆叠随机存取存储器”的专利相关信息,该专利的公开号为CN119856579A,信息来源于金融界。

金融界在2025年4月21日发布消息称,依据国家知识产权局的信息,国际商业机器公司申请了一项特别的专利。这项专利名为“具有互补的相邻单元的堆叠随机存取存储器”,其公开号为CN119856579A,申请的日期是2023年8月。

从专利的摘要来看,这是一种集成电路(IC)的场效应晶体管(FET)单元结构。这个FET单元结构包含了第一和第二相邻单元。这两个相邻单元都跨越了第一层和第二层,并且第二层是垂直堆叠在第一层之上的。其中,第一单元在第一和第二层中的某一层上有n掺杂FET(NFET),在另一层上则有p掺杂FET(PFET)。而第二单元呢,在第一和第二层中的一层上有与第一单元中的NFET数量不同的多个NFET,并且在另一层上有与第一单元中的PFET数量不同的多个PFET中的至少一个。

本文总结了国际商业机器公司申请的一项关于堆叠随机存取存储器专利的相关信息,包括申请时间、专利名称、公开号以及专利涉及的集成电路的场效应晶体管单元结构的基本情况等。这有助于我们了解该公司在相关技术领域的研发成果和探索方向。

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